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武汉光电国家研究中心团队攻克光刻胶关键技术

2024-10-28DOIT

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近日,武汉光电国家研究中心团队在光刻胶研发领域取得重大进展,成功自主研发出合成光刻胶所需的关键原材料及配方,推动我国半导体制造的关键材料实现突破。

据悉,团队研发的T150A光刻胶系列产品已通过半导体工艺的量产验证,达成了原材料完全国产化以及配方的自主设计,为我国半导体制造开创了新局面。

光刻胶作为芯片制造的关键材料,其原理类似于胶卷的曝光过程。芯片制造过程中,晶圆表面会涂上一层光刻胶,并通过掩膜版将电路图投影在其上。经过光线照射曝光和一系列处理后,晶圆上便形成了芯片所需的电路结构。

然而,光刻胶的核心原料和配方技术长期以来被国外企业严格封锁,目前我国所需的光刻胶九成以上依赖进口。

该团队此次研发的T150A光刻胶对标国际先进的KrF光刻胶系列。相较于国外同类产品,T150A在光刻工艺中展现了优异性能,其极限分辨率达120纳米,具有更大的工艺宽容度和更高的稳定性,同时表现出优越的留膜率和刻蚀工艺效果。

验证结果表明,T150A在密集图形刻蚀过程中能保持下层介质侧壁的垂直度,进一步证明了其在半导体光刻工艺中的出色表现。

团队在电子化学品领域深耕二十余载,立足于关键光刻胶底层技术研究,致力于半导体专用高端电子化学品原材料和光刻胶的开发,并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术,同时为材料的分析与验证提供全面的手段。

团队负责人表示:“以光刻技术的分子基础研究和原材料的开发为起点,最终获得具有自主知识产权的配方技术,这只是个开始。我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶,致力于突破国外卡脖子关键技术,为国内相关产业带来更多惊喜。”

责任编辑:王力
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